金融界2024年10月25日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件、存储器系统以及半导体器件的制造方法”的专利，公开号CN118804581A，申请日期为2023年4月。
专利摘要显示，本申请实施方式提供了一种半导体器件、存储器系统以及半导体器件的制造方法。该半导体器件包括：硅接触结构；金属硅化物层，位于硅接触结构的一侧；位线结构，位于金属硅化物层远离硅接触结构的一侧，并沿第一方向延伸；以及侧壁结构，覆盖于位线结构和金属硅化物层在第一方向上的相对两侧，并且还延伸覆盖于硅接触结构靠近金属硅化物层的第一端部在第一方向上的相对两侧。
本文源自：金融界
