金融界2024年10月25日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件及其制作方法、存储系统”的专利，公开号CN118804600A，申请日期为2023年4月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及其制作方法、存储系统。其包括以下步骤：在衬底上形成堆叠层，堆叠层包括存储阵列区以及邻接于存储阵列区至少一侧的台阶区，且堆叠层包括位于堆叠层远离衬底一侧的顶部隔离层；在存储阵列区形成位于顶部隔离层远离衬底一侧的半导体层；在台阶区形成位于顶部隔离层远离衬底一侧的隔垫牺牲层；去除半导体层与部分隔垫牺牲层，以在台阶区形成位于顶部隔离层远离衬底一侧的隔垫层，且隔垫层远离衬底一侧的表面与位于存储阵列区的顶部隔离层远离衬底一侧的表面相平齐。本申请可以消除堆叠层在存储阵列区和台阶区的段差，避免了制程中对堆叠层的损坏、膜层厚度不均一以及台阶区半导体材料残留的现象发生。
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