金融界2024年10月25日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、存储系统”的专利，公开号CN118804582A，申请日期为2023年4月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、存储系统。该制备方法包括：在衬底的一侧形成初始漏极层；在初始漏极层远离衬底的一侧形成多个晶体管柱，相邻两个沿第二方向分布的晶体管柱之间的第一沟槽贯穿初始漏极层并沿第一方向延伸；在多个晶体管柱之间填充隔离材料，形成第一隔离结构；其中，初始漏极层中与晶体管柱在其上的投影交叠的部分构成与晶体管柱对应的漏极，第一方向和第二方向相交且垂直于初始漏极层的厚度方向。本申请通过预先在衬底的一侧形成初始漏极层，不仅可以实现漏极与晶体管柱的自对准，而且对初始漏极层进行高温激活不会影响后续形成的晶体管柱，从而也不会影响与基于晶体管柱形成的源极连接的电容，不再受制于热负载的影响。
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