金融界2024年10月25日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“存储器及其制作方法、存储系统”的专利，公开号CN118804583A，申请日期为2023年4月。
专利摘要显示，本申请公开了一种存储器及其制作方法、存储系统。其包括以下步骤：形成相间隔的多个沟道结构、以及位于相邻的沟道结构之间的间隔部，沟道结构沿第一方向延伸；去除部分沟道结构，以在相邻的间隔部之间形成多个第一凹槽；在第一凹槽内形成掩膜部，且掩膜部凸出于第一凹槽外，以在相邻的掩膜部之间形成第二凹槽；在第二凹槽内形成隔垫部，并去除掩膜部，以在相邻的隔垫部之间形成第三凹槽；在第三凹槽内形成导电连接部，导电连接部沿第一方向连接于沟道结构。本申请可以实现导电连接部的高度可控，以满足不同的设计需求，提高了存储器的适用性。
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