金融界2024年10月25日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“用于形成具有用于阶梯区域的支持结构的三维存储器件的方法”的专利，公开号CN118804595A，申请日期为2020年7月。
专利摘要显示，公开了3D存储器件的实施例及其形成方法。在一个示例中，公开了用于形成3D存储器件的方法。在第一衬底上形成外围电路。在第二衬底上形成第一半导体层。在第一半导体层上形成支撑结构和与支撑结构共面的第二半导体层。在支撑结构和第二半导体层上方形成存储堆叠层。存储堆叠层具有与支撑结构重叠的阶梯区域。形成垂直地延伸穿过存储堆叠层和第二半导体层进入第一半导体层中的沟道结构。以面对面的方式键合第一衬底和第二衬底。
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