金融界2024年10月30日消息，国家知识产权局信息显示，中电科技德清华莹电子有限公司申请一项名为“种新型多层异质键合衬底结构”的专利，公开号CN118829343A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明提供一种新型多层异质键合衬底结构，属于压电复合材料领域，包括功能衬底层和晶圆结构层，所述功能衬底层包括第一衬底层以及制作在第一衬底层表面的功能元件和器件层，晶圆结构层包括由下向上依次设置的第二衬底层、吸收层、隔离层和压电薄膜层，所述功能衬底层和晶圆结构层之间设键合层，所述晶圆结构层底面与功能衬底层正面对准并通过多种键合方式连接，所述晶圆结构层设有金属化孔，所述金属化孔两端分别设有顶部金属面板和底部面板，所述顶部金属面板置于晶圆结构层顶部，所述底部面板置于键合层底部。具有连接距离短、Q值高、可靠性好、空间集成度高的优点，以及更高的批产效率和更便捷的晶圆材料、功能元件、器件制作参数的更改。
本文源自：金融界
