金融界2024年10月30日消息，国家知识产权局信息显示，意法半导体股份有限公司取得一项名为“半导体器件”的专利，授权公告号CN221885092U，申请日期为2023年9月。
专利摘要显示，本公开的实施例涉及具有密封层的半导体封装或器件。本公开涉及导电层上的导电结构的实施例，该导电层可以是半导体器件或封装的导电大马士革层。导电大马士革层可以在半导体器件或封装的衬底内。在导电结构的一个或多个侧壁与衬底上的一个或多个绝缘层的一个或多个侧壁之间存在缝隙，并且缝隙延伸到导电层的表面。在缝隙中形成密封层，该密封层密封导电层以免受半导体器件或封装外部的可能进入缝隙的湿气和污染物影响。换句话说，密封层阻止湿气和污染物到达导电层，使得导电层不会由于暴露于湿气和污染物而腐蚀。
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