金融界2024年11月2日消息，国家知识产权局信息显示，深圳瑞纳电子技术发展有限公司申请一项名为“MEMS水平度传感器及其制造方法”的专利，公开号CN118882602A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，本发明提供了一种MEMS水平度传感器及其制造方法，以卡氏垂直坐标系为参照，包括；半导体基板，其表面与x‑y坐标在同一平面；位于所述半导体基板上的以z轴方向为对称轴的圆环空腔；位于所述圆环空腔内壁第一侧的多个相互分离的第一电极片；位于所述圆环空腔内壁第二侧的多个第二电极片，所述第二侧与第一侧相对所述第二电极片和所述第一电极片一一对应；构置于所述圆环空腔内的惯性体，所述惯性体为导体，其可在所述圆环空腔内绕圆环空腔的对称轴转动，使得与所述惯性体接触的第一电极片和第二电极片导通。本发明实现了感测器件的微型化，大幅降低了制造成本，并且具有更高的抗冲击能力。
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