IT之家11月4日消息，据路透社今日报道，韩国SK集团会长崔泰源表示，英伟达CEO黄仁勋要求SK海力士提前六个月供应被称为HBM4的下一代高带宽内存芯片。

SK海力士计划在2025年下半年推出采用12层DRAM堆叠的首批HBM4产品，而16层堆叠HBM稍晚于2026年推出。

SK海力士和台积电双方于今年4月签署了合作谅解备忘录，宣布将就HBM内存的基础裸片加强合作。

今年7月，有消息称英伟达、台积电和SK海力士将组建“三角联盟”，为迎接AI时代共同推进HBM4等下一代技术。此外，消息称SK海力士已经和台积电达成合作，共同设计和生产HBM4系列的部分产品，并计划2026年开始量产；而英伟达提供产品设计。

SK海力士10月24日发布2024财年第三季度（截至2024年9月30日）财报，合并收入为17.5731万亿韩元（IT之家备注：当前约908.35亿元人民币），环比增长7%、同比增长94%。

在DRAM方面，海力士正在从现有的HBM3迅速转换至8层HBM3E产品，而且9月开始量产的12层HBM3E产品按原定计划将在今年第四季度开始供货。由此，在第三季度DRAM总销售额中占据30%的HBM比重预计在今年第四季度达到40%。