金融界2024年11月16日消息，国家知识产权局信息显示，上海陛通半导体能源科技股份有限公司取得一项名为“用于晶圆等离子体刻蚀的方法和设备”的专利，授权公告号CN111564354B，申请日期为2019年2月。
本文源自：金融界
上海陛通半导体能源科技取得用于晶圆等离子体刻蚀的方法和设备专利
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