金融界2024年11月16日消息，国家知识产权局信息显示，三一硅能（朔州）有限公司取得一项名为“导气罩及直拉单晶硅炉”的专利，授权公告号CN222008179U，申请日期为2024年3月。
专利摘要显示，本实用新型涉及单晶硅直拉技术领域，公开了一种导气罩及直拉单晶硅炉。导气罩包括罩本体；沿罩本体的轴向，罩本体内部形成有出气流道，出气流道的一端为出气口；环绕罩本体的轴向，罩本体的侧面开设有进气口，进气口与出气流道连通，进气口两端的夹角α呈钝角。本实用新型通过在罩本体的侧面开设一个进气口可以降低氩气的分散量，提高氩气流速。通过限定进气口两端的夹角α的度数，可以在提高氩气流速的同时避免出现气流回旋现象，使较多的氩气吹拂埚帮，进而带走气氛组及埚帮缝隙内的SiO气体，使硅液中的SiO及时挥发，降低硅棒中的氧含量，提高产品质量，有效的解决了现有技术中的直拉单晶硅炉存在的硅棒中氧含量较高的缺陷。
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