IT之家11月26日消息，韩媒TheElec今天（11月26日）发布博文，报道称三星电子在生产3DNAND闪存方面取得重大突破，在其中光刻工艺中大幅缩减光刻胶（PR）用量，降幅达到此前用量的一半。

IT之家援引消息源报道，此前每层涂层需要7-8cc的光刻胶，而三星通过精确控制涂布机的转速（rpm）以及优化PR涂层后的蚀刻工艺，现在只需要4-4.5cc。

而另一个重要因素，是三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻胶，通常情况下一次工艺形成1层涂层，而使用更厚的光刻胶，三星可以一次形成多个层，从而提高工艺效率。

不过更厚的光刻胶在生产中也有挑战，由于光刻胶具有高粘度，会在涂层时会导致均匀性问题。

三星与长期合作伙伴东进半导体化学公司自2013年起就密切合作，共同研发高性能光刻胶。东进半导体一直是三星KrF光刻胶的独家供应商，为三星第7代（11微米）和第8代（14微米）3DNAND提供了关键材料。

消息称从第9代3DNAND开始，三星将全面应用这项新技术，这一创新举措不仅提高了生产效率，更将为三星节省每年数十亿韩元的巨额成本。

同时也意味着东进半导体将面临来自三星的订单减少，东进半导体目前每年从光刻胶业务中获得约2500亿韩元收入，其中60%来自三星。