金融界2024年11月27日消息，国家知识产权局信息显示，河南天璇半导体科技有限责任公司申请一项名为“制备单晶金刚石用基片台、单晶金刚石的制备方法”的专利，公开号CN119020855A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明涉及制备单晶金刚石用基片台、单晶金刚石的制备方法，属于单晶金刚石制备技术领域。本发明利用铜的高热导率特性(铜的热导率是钼的3倍)，在圆柱形凹槽内设置圆柱形铜片，可增加基片台中心部位的散热效果，可以很好地解决微波等离子体化学气相沉积法生长单晶金刚石过程中中心籽晶温度高、边缘籽晶温度低的问题，进而缩小生长过程中籽晶的整体温差，维持生长温度的均匀性，提高良品率。
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