金融界2024年12月5日消息，国家知识产权局信息显示，罗伯特·博世有限公司申请一项名为“用于制造垂直功率晶体管的方法和垂直功率晶体管”的专利，公开号CN119069355A，申请日期为2024年5月。
专利摘要显示，本发明涉及用于制造垂直功率晶体管的方法。垂直功率晶体管具有第一沟槽深度的第一沟槽和第二沟槽深度的第二沟槽。第一沟槽深度和第二沟槽深度具有至少30％的差。将介电层施加到半导体材料上，将第一光刻胶层上施加到介电层上，在第一光刻胶层中产生具有第一宽度的第一开口，暴露出介电层的第一区域，蚀刻第一区域至确定深度，产生第一结构化介电层，去除第一光刻胶层，将第二光刻胶层施加到第一结构化介电层上，在第二光刻胶层中产生具有第二宽度的第二开口，暴露出介电层的第二区域，蚀刻第二区域至半导体材料的表面，产生第二结构化介电层，去除第二光刻胶层，进一步蚀刻产生从第二结构化介电层出发直至半导体材料的第一沟槽和第二沟槽。本发明还涉及相应的垂直功率晶体管。
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