金融界2024年12月5日消息，国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN119069359A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构的形成方法包括：提供基底，基底内具有第一掺杂区；在第一掺杂区内形成一个或多个耐压结构，耐压结构的介电常数低于第一掺杂区，且耐压结构具有一个或多个凸起部和/或凹陷部；在第一掺杂区内形成体区，体区的掺杂类型与第一掺杂区一致且掺杂浓度大于第一掺杂区，其中，体区的底面位于耐压结构的顶面上方。采用上述技术方案，能够提升半导体结构的击穿电压。
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