金融界2024年12月5日消息，国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“具有背面触点拼接的集成电路结构”的专利，公开号CN119069475A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，描述了具有背面触点拼接的集成电路结构。在示例中，集成电路结构包括与第二多个水平堆叠的纳米线横向间隔开的第一多个水平堆叠的纳米线。第一外延源极或漏极结构和第二外延源极或漏极结构在第一多个水平堆叠的纳米线和第二多个水平堆叠的纳米线的相应端部处。导电触点结构在第一外延源极或漏极结构和第二外延源极或漏极结构下方并与第一外延源极或漏极结构和第二外延源极或漏极结构接触，并且导电触点结构在第一外延源极或漏极结构和第二外延源极或漏极结构之间是连续的。导电触点结构在第一外延源极或漏极结构和第二外延源极或漏极结构下方的第一垂直厚度大于在第一外延源极或漏极结构和第二外延源极或漏极结构之间的区域中的第二垂直厚度。
本文源自：金融界
