金融界2024年12月5日消息，国家知识产权局信息显示，意法半导体公司申请一项名为“高密度电阻性随机存取存储器（RRAM）”的专利，公开号CN119072134A，申请日期为2015年12月。
专利摘要显示，本公开涉及高密度电阻性随机存取存储器(RRAM)。一种电阻性随机存取存储器(RRAM)结构形成于支撑衬底上并且包括第一电极和第二电极。该第一电极是由在该支撑衬底上的硅化物化的鳍以及覆盖该硅化物化的鳍的第一金属内衬层制成的。具有可配置的电阻性质的电介质材料层覆盖该第一金属内衬层的至少一部分。该第二电极是由覆盖该电介质材料层的第二金属内衬层以及与该第二金属内衬层相接触的金属填充物制成的。非易失性存储器单元包括电连接于存取晶体管与位线之间的RRAM结构。
本文源自：金融界
