金融界2024年12月5日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“一种半导体器件及其制备方法、存储器及存储系统”的专利，公开号CN119072131A，申请日期为2023年5月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、存储器及存储系统，该半导体器件包括堆叠结构和贯穿堆叠结构的多个字线触点组。堆叠结构包括交替层叠的栅极层和绝缘层，每个字线触点组包括相互绝缘的多个字线触点。多个字线触点沿堆叠结构的堆叠方向延伸至堆叠结构的不同深度，且分别连接一个所述栅极层。其中，多个字线触点包括第一字线触点和第二字线触点，第二字线触点间隔围绕所述第一字线触点。因此一个字线触点组可以连接两个栅极层，提高了字线触点组的利用效率，减少了字线触点组的数量和整体占用面积。
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