金融界2024年12月5日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法、存储系统”的专利，公开号CN119072129A，申请日期为2023年5月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件及其制造方法、存储系统，半导体器件的制造方法包括：于堆叠层上形成介质层，堆叠层中设置有沿第一方向贯穿堆叠层的存储沟道结构，第一方向与堆叠层的堆叠方向平行；形成沿第一方向贯穿介质层的多个开口，并使剩余的介质层形成顶部选择栅切线，多个开口沿第二方向间隔地排布，在第二方向上一个顶部选择栅切线位于相邻两个开口之间，第一方向与第二方向相交；以及于多个开口中形成顶部选择栅极层。
本文源自：金融界
