中国半导体最新消息，国产第二代duv光刻机，要好于阿斯麦尔的2100i，麒麟9020暂定的，预计会使用n加2Plus的工艺，晶体管密度大于140每平方毫米，而台积电第一代五纳米的密度是150。据传，华为内部已经有自己的生产线，国产湿式的euv光刻机，据传落后Asml最新产品半代，成品工艺水平大幅领先台积电第一代，三纳米目前还在调试过程中，过程很不容易。麒麟9030也是暂定的，晶体管密度大概是在200左右，台积电第二代4纳米的密度是180+，懂的都懂啊！
中国半导体最新消息，国产第二代duv光刻机，要好于阿斯麦尔的2100i，麒麟90
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