浙江理工大学桐乡研究院申请含ZnO和rGO的多层透明压电薄膜传感器专利,使其透明性能更佳

金融界 2024-12-07 10:06:45

金融界2024年12月7日消息,国家知识产权局信息显示,浙江理工大学桐乡研究院有限公司申请一项名为“一种含ZnO和rGO的多层透明压电薄膜传感器的制备方法”的专利,公开号CN119078247A,申请日期为2024年8月。

专利摘要显示,本发明涉及传感器领域,公开了一种含ZnO和rGO的多层透明压电薄膜传感器的制备方法。本发明在P(VDF‑TrFE)分子链中引入少量丙烯链段以提升其柔韧性,同时添加纳米材料ZnO和rGO用以大幅提高其极化后的压电性能;并且,ZnO的引入不仅能改善压电薄膜的耐光热性,还能减少rGO的显色,使其透明性能更佳。

本文源自:金融界

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