金融界2024年12月7日消息，国家知识产权局信息显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“提高12寸轻掺单晶稳定性的方法”的专利，公开号CN119082849A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明提供提高12寸轻掺单晶稳定性的方法，涉及轻掺单晶拉晶方法技术领域，在预定散热热场下，进行轻掺单晶拉制在等径过程中在预定拉速范围及预定温度范围内进行晶棒拉制，使得高氧情况下，拉速增大，轴向温度梯度减小，空位增多，在晶棒不变形的前提下，进而生成OISF的区域越靠近晶棒边缘，直至消失，使得降低OISF缺陷得到改善，硅片不易断裂，进而制得的外延片的稳定性提高。
本文源自：金融界
