金融界2024年12月7日消息，国家知识产权局信息显示，硅电子股份公司申请一项名为“用于生产经涂布的半导体Wafer的方法和装置”的专利，公开号CN119082866A，申请日期为2017年6月。
专利摘要显示，本发明涉及用于生产经涂布的半导体Wafer的方法，其包括：将工艺气体经由第一气体入口沿着第一流动方向引入反应器腔室中并流经半导体材料的衬底Wafer，以便在所述衬底Wafer上沉积层，所述衬底Wafer位于基座上，其中来自所述工艺气体的材料沉积在预热环上，所述预热环围绕所述基座布置；和包括从所述反应器腔室中取出经涂布的衬底Wafer；特征在于，在从所述反应器腔室取出经涂布的衬底Wafer之后，经由第一气体入口沿着第一流动方向将蚀刻气体引入所述反应器腔室中，并经由第二气体入口沿着与所述第一流动方向相交的另外的流动方向将蚀刻气体引入所述反应器腔室中，蚀刻气体流经所述预热环，由此从所述预热环去除所述材料沉淀，所述第一气体入口布置在所述第二气体入口之间。
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