金融界2024年12月7日消息，国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为“一种在铝合金表面制备电化学氟化膜的方法”的专利，公开号CN119082822A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明提供了一种制备电化学氟化膜的方法，具体地，该方法包括步骤：提供溶质为氟盐的电解液，所述氟盐包括氟化铵和任可选地其他氟盐，将铝合金作为阳极与电源相连，通过电化学氟化在所述铝合金的表面上制备得到电化学氟化膜，所述电解液中氟离子的浓度为30‑170g/L。本发明电化学氟化膜的制备方法中，成膜过程伴随着对铝合金表面膜层的高温陶瓷化，因此本发明方法对于制备电化学氟化膜之前的铝合金的洁净度要求极低。使用本发明方法制得的含电化学氟化膜的铝合金提升了外观色差良率，降低清洗费用。使用本发明方法制得的含电化学氟化膜的铝合金提升了耐卤素元素侵蚀性能。
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