金融界2024年12月7日消息，国家知识产权局信息显示，江苏富乐华半导体科技股份有限公司申请一项名为“一种优化DCB岛间绝缘性的铜片快速氧化方法”的专利，公开号CN119082656A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明涉及覆铜陶瓷基板加工技术领域，具体为一种优化DCB岛间绝缘性的铜片快速氧化方法。包括以下步骤：步骤一：铜片预处理：对铜片依次进行酸洗、碱洗除油、预浸、粗化、退膜的工艺过程，得到铜片A；步骤二：铜片氧化：将铜片A在空气中进行氧化，得到铜片B；步骤三：铜片烧结：将铜片B高温烧结，得到成品。有益效果：通过这种快速氧化的方式，使烧结时的界面产物混有绝缘成分，使其电阻率增加，绝缘性增强，避免了在岛间施加高电压时产生过大的漏电流。
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