金融界2024年12月7日消息，国家知识产权局信息显示，拉普拉斯（广州）半导体科技有限公司申请一项名为“沉积制备装置及外延膜沉积制备方法”的专利，公开号CN119082860A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明属于半导体CVD技术领域，公开了沉积制备装置及外延膜沉积制备方法，沉积制备装置包括反应腔体、固定组件、进气组件以及加热体组件，反应腔体设置有排气口，固定组件包括固定件，固定件倒悬于反应腔体内，固定件被配置为放置Wafer，以使Wafer的沉积面朝下；进气组件包括进气管，进气管的出口连通反应腔体内，以向反应腔体内注入反应气体；加热体组件能够对进气管输出的反应气体以及固定件固定的Wafer加热；外延膜沉积制备方法利用上述的沉积制备装置，将Wafer的沉积面朝下，在气相反应过程中的杂质会由于重力下落，而不易直接落至朝下的Wafer的沉积面上，减少杂质落到Wafer表面的概率，提升了产品良率。
本文源自：金融界
