金融界2024年12月12日消息，国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“提升RC-IGBT中FRD结构反向恢复能力的方法”的专利，公开号CN119108346A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明提供一种提升RC-IGBT中FRD结构反向恢复能力的方法，提供第一导电类型的衬底，在衬底上形成第一导电类型的外延层；在衬底上形成IGBT器件的第二导电类型的第一阱和快速恢复二极管的第二导电类型的第二阱，第一阱上形成有栅极沟槽，栅极沟槽中形成有沟槽栅极结构，沟槽栅极结构之间的第一阱的上表面形成有第一导电类型的第一掺杂区，在外延层上形成离子注入保护层；利用离子注入在第一接触孔的底部形成第二导电类型的第三掺杂区，在第二接触孔的底部形成第二导电类型的第二掺杂区，第三掺杂区相对于第二掺杂区掺杂浓度较高。本发明可以完成RC-IGBT两个部分有源区接触孔掺杂不同的剂量需求，提升FRD(快速恢复二极管)部分反向恢复能力。
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