金融界2024年12月12日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“具有气隙的半导体元件的制备方法”的专利，公开号CN119108374A，申请日期为2023年8月。
专利摘要显示，公开一种半导体元件的制备方法，包括提供一基底，并形成一漏极在该基底中；形成一顶部介电层在该基底上，并形成一开口沿着该顶部介电层以暴露该漏极；共形地形成一牺牲用层在该开口中；执行一第一冲压蚀刻制程以部分地去该除牺牲用层，从而在该开口的一侧壁上形成一牺牲用段并暴露该漏极；形成一单元插塞底部导电层在该漏极上并被该牺牲用段所围绕；执行一移除制程以移除该牺牲用段并形成一围绕该单元插塞底部导电层；形成一单元插塞顶部密封层在该单元插塞底部导电层上以密封该空间，从而形成一第一气隙围绕该单元插塞底部导电层；及形成一单元插塞顶部导电层在该单元插塞底部导电层上，并被该单元插塞顶部密封层所围绕。该单元插塞底部导电层、该单元插塞顶部导电层和该单元插塞顶部密封层构成一单元插塞结构。
本文源自：金融界
