金融界2024年12月12日消息，国家知识产权局信息显示，星科金朋私人有限公司申请一项名为“使用强脉冲光照射制造EMI屏蔽的半导体器件和方法”的专利，公开号CN119108281A，申请日期为2024年4月。
专利摘要显示，提供了使用强脉冲光照射制造EMI屏蔽的半导体器件和方法。一种半导体器件具有衬底和设置在衬底上的电气组件。密封剂沉积在电气组件上。在密封剂上形成屏蔽层。屏蔽层包括基体中的多个石墨烯涂覆的金属球。使用强脉冲光(IPL)照射烧结屏蔽层。
本文源自：金融界
星科金朋申请使用强脉冲光照射制造EMI屏蔽专利，可实现屏蔽层的高效处理
金融界
2024-12-12 20:52:17
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