金融界2024年12月13日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“一种半导体结构及其形成方法、存储器系统”的专利，公开号CN119110586A，申请日期为2023年6月。
专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其形成方法、存储器系统，该形成方法包括：提供衬底，并在所述衬底中形成多个牺牲结构；所述牺牲结构的底面高于所述衬底的底面；在所述衬底上形成堆叠结构，并形成多个沿第一方向贯穿所述堆叠结构并延伸至所述牺牲结构中的沟道孔；每个所述牺牲结构上至少形成两个沟道孔；所述第一方向为所述堆叠结构的堆叠方向；所述牺牲结构的延伸方向与所述第一方向相交；去除所述多个牺牲结构，以在所述衬底中形成多个空腔；在所述沟道孔中形成沟道结构，并在所述空腔中形成与所述沟道结构连接的初始连接结构。
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