金融界2024年12月13日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“半导体器件的形成方法”的专利，公开号CN119110574A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，一种半导体器件的形成方法，包括：衬底包括存储区，存储区上具有第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管的沟道和第二晶体管的沟道的导电类型相反；在第一晶体管和第二晶体管上形成应力叠层；对位于第一晶体管和第二晶体管上的应力叠层进行退火处理；在退火处理后，去除应力叠层。本方案不需要进行较大改动且无需增加额外的电路与芯片面积，节约工艺成本，并且对表面形成有应力叠层的第一晶体管和第二晶体管均进行退火处理，第一晶体管和第二晶体管之间不存在应力隔断，降低了存储区上的器件的错配的概率，减小器件电路供电电压的最小值；此外，本方案提升存储器件的静态噪声容限和写噪声容限，使得存储器件的工作窗口增大，降低了存储器件的失效率。
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