金融界2024年12月13日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司及中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“存储器结构的形成方法”的专利，公开号CN119110587A，申请日期为2023年6月。
专利摘要显示，一种存储器结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括若干存储区与逻辑区；在各所述存储区上形成两个相互分立的存储栅结构，所述存储栅结构包括浮栅、以及位于各所述浮栅表面的控制栅结构；在所述两个存储栅结构之间的存储区内形成改性区；在所述存储栅结构的侧壁表面形成保护结构在形成保护结构后对逻辑区表面、改性区以及保护结构进行氧化处理，在逻辑区表面形成栅氧层，使改性区形成擦除栅氧化层，使保护结构氧化为第一氧化侧墙，所述氧化处理对所述改性区表面的氧化速率高于对所述逻辑区表面的氧化速率。所述存储器结构的形成方法，提升了存储器的擦除效率，简化了工艺流程，降低了制程成本。
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