金融界2024年12月18日消息，国家知识产权局信息显示，西安思摩威新材料有限公司申请一项名为“低残余应力的高折射率负性OC光刻胶、光固化图案的制备方法和应用”的专利，公开号CN119126490A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明属于高分子材料技术领域，涉及一种低残余应力的高折射率负性OC光刻胶及其制备方法和应用。该高折射率负性光刻胶，按重量份数计，原料至少包括：高折射率纳米粒子10～22份，环氧单体2～3份，丙烯酸树脂3～10份，丙烯酸单体1～3份，光引发剂1.5～4份，光敏剂0～4份，表面活性剂0.01～0.5份，固化剂0～2份，溶剂30～70份。本发明通过在配方中通过添加环氧单体(螺环原碳酸酯类化合物)与纳米粒子能够形成稳定的相互作用，用以改善纳米粒子在聚合物基体中的分散性，从而优化光刻胶的整体性能。
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