金融界2024年12月18日消息，国家知识产权局信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“光刻掩膜版、对准标记及同层曝光误差的补偿方法”的专利，公开号CN119126480A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本申请实施例涉及一种光刻掩膜版、光刻对准标记及同层曝光误差的补偿方法，包括用于对晶圆进行步进式曝光的曝光单元，其包括至少一组由第一图形和第二图形组成的光刻对准图形，第一图形和第二图形分别位于曝光单元的沿步进方向的彼此远离的两侧，第一图形和第二图形均呈开放图形；第一图形和第二图形在被转移到晶圆上时对应形成第一标记和第二标记，在相邻两个曝光图形中，一个曝光图形中的第一标记与另一个曝光图形中的第二标记在重叠区域内能够组合形成为一个包含封闭图形的光刻对准标记，封闭图形包括至少三个封闭区域且至少三个封闭区域的中心不共线，光刻对准标记用于在对晶圆执行下一次光刻工艺时实现对位。由此，有利于实现精准对位。
本文源自：金融界
