金融界2024年12月19日消息，国家知识产权局信息显示，闪迪技术公司申请一项名为“非均匀存储器阵列中的错误率管理”的专利，公开号CN119132373A，申请日期为2024年1月。
专利摘要显示，多个控制电路被配置为单独地连接到阵列，这些阵列各自包括多个非易失性存储器单元。每个非易失性存储器单元包括可编程电阻元件。每个控制电路被配置有单独地址偏移。该多个控制电路被配置为：从存储器控制器并行地接收读取地址；将该相应的单独地址偏移施加到该读取地址以生成相应的偏移地址；从该相应的偏移地址读取数据的部分；以及将从该偏移地址读取的该数据发送到该存储器控制器以执行该数据的部分的纠错码(ECC)解码。
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