金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市国微电子有限公司申请一项名为“红外图像去坏点方法、装置、电子设备及存储介质”的专利，公开号CN119151842A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明涉及图像处理技术领域，揭露一种红外图像去坏点方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：计算预先获取的红外图像中每个像素点与预设的邻域像素点之间的像素差值及像素和值；根据像素差值及像素和值确定像素点与邻域像素点之间的连通状态；根据连通状态确定坏点类别；根据坏点类别进行像素值补偿，得到去坏点红外图像。通过本发明的实施，可以确定需要补偿的待补偿坏点，避免在梯度较大的极端场景中，将正常点当作坏点的误判，提高坏点判定的准确度，同时，根据坏点类别进行像素值补偿，可以使得像素值补偿后的像素值点更接近相应场景的真实值，有效地提高红外图像去坏点的精确度。
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