金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，北京智芯微电子科技有限公司申请一项名为“深沟槽制作方法、半导体结构、芯片及电路”的专利，公开号CN119153324A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种深沟槽制作方法、半导体结构、芯片及电路，涉及半导体技术领域。制作方法包括：在衬底上表面形成具有刻蚀窗口的硬掩膜层；利用刻蚀窗口对衬底进行至少一次衬底刻蚀，形成目标深沟槽；衬底刻蚀的步骤包括：通过刻蚀窗口对衬底进行多次离子注入，形成改性区；改性区设计尺寸与子目标沟槽设计尺寸相同；离子注入角度逐渐增大；刻蚀改性区，形成子目标沟槽；若子目标沟槽的深度小于目标深沟槽的深度，进行下一次衬底刻蚀；衬底刻蚀强度逐渐增大；若子目标沟槽的深度等于目标深沟槽的深度，将该子目标沟槽作为目标深沟槽。通过本发明，能够减少深沟槽的槽壁倾斜，提高深沟槽的刻蚀均匀性，改善深沟槽的形貌，提升器件性能和可靠性。
本文源自：金融界
