金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，浙江芯微泰克半导体有限公司申请一项名为“半导体器件及其形成方法”的专利，公开号CN119153323A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及其形成方法。形成方法包括：提供第一半导体层，第一半导体层具有芯片区和环绕芯片区设置的划片道区；以及于第一半导体层的一侧形成介质层，介质层包括位于划片道区的台阶形凹槽和环形阻挡结构，环形阻挡结构和台阶形凹槽围绕芯片区设置，台阶形凹槽贯穿介质层且包括第一划片槽和第二划片槽，第一划片槽位于第二划片槽和环形阻挡结构背离第一半导体层的一侧，环形阻挡结构围绕第二划片槽设置。如此设置，沿着划片道区切割时，位于划片道区的环形阻挡结构起到阻挡作用，可以阻止崩边向芯片区延伸，进而能够有效地保护芯片区的结构。
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