金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，英属开曼群岛商海珀电子股份有限公司申请一项名为“高电子迁移率晶体管的半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN119153332A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，一种高电子迁移率晶体管的半导体结构及其制造方法，其中该方法包括下列步骤：于通道层上沉积阻障层；于阻障层上沉积掺杂控制层；于腔体内预供气(preflow)含有金属掺杂的第一掺杂来源气体一预设时间；预设时间结束后，于掺杂控制层上沉积掺杂稳定层，掺杂稳定层与掺杂控制层皆具有金属掺杂，其中金属掺杂于该掺杂稳定层具有介于1E19cm‑3至3E19cm‑3之间的第一掺杂浓度，金属掺杂于掺杂控制层具有介于5E17cm‑3至1E19cm‑3之间的第二掺杂浓度；及，于掺杂稳定层上沉积栅极金属以形成高电子迁移率晶体管的半导体结构。
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