金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“金属硬掩膜及其制备方法和刻蚀方法”的专利，公开号CN119153326A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种金属硬掩膜及其制备方法和刻蚀方法，该金属硬掩膜的制备方法采用氧气等离子体处理将氮化钛硬掩膜层的预设厚度转化为氮氧化钛硬掩膜层，从而使氮化钛硬掩膜层及氮氧化钛硬掩膜层共同形成为金属硬掩膜，并在刻蚀过程中采用溅射刻蚀工艺先对氮氧化钛硬掩膜层进行物理刻蚀，然后再采用干法刻蚀工艺刻蚀氮化钛硬掩膜层，由于氮氧化钛硬掩膜层为薄且均匀的材料层，基于其与氮化钛硬掩膜层具有高的选择刻蚀比，所以可以选择溅射刻蚀工艺实现对氮氧化钛硬掩膜层的完全刻蚀，在此基础上选择采用干法刻蚀工艺可以在不存在氮氧化钛材料残留的情形下实现对氮氧化钛硬掩膜层的刻蚀，从而可以有效保证刻蚀孔的纯净性，保证刻蚀孔的形状。
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