金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，北京北方华创微电子装备有限公司申请一项名为“自对准多重图形的形成方法及半导体器件”的专利，公开号CN119153318A，申请日期为2023年6月。
专利摘要显示，本申请公开一种自对准多重图形的形成方法及半导体器件，涉及半导体领域。自对准多重图形的形成方法包括：提供具有目标层的半导体衬底，在目标层上形成芯轴层和牺牲层；对芯轴层和牺牲层进行刻蚀，以形成芯轴掩膜图案；在目标层和芯轴掩膜图案上进行沉积，依次形成第一侧墙层、第二侧墙层和第三侧墙层，第三侧墙层填充第二侧墙层的间隙；在水平方向上去除第二侧墙层和第三侧墙层，以暴露第一侧墙层的顶面；去除暴露出的第二侧墙层；去除水平方向上的第一侧墙层，以暴露出牺牲层；去除暴露出的牺牲层及芯轴层；对目标层进行刻蚀，在目标层上形成预定图案。本申请解决当前自对准双重工艺难以满足小尺寸要求等问题。
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