金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，荣芯半导体（宁波）有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制造方法、电子装置”的专利，公开号CN119153337A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，一种半导体器件及其制造方法、电子装置，该方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底中形成有浅沟槽隔离结构，相邻浅沟槽隔离结构之间的半导体衬底上形成有第一刻蚀停止层；对第一刻蚀停止层进行回刻蚀，以得到第二刻蚀停止层，第二刻蚀停止层的宽度小于第一刻蚀停止层的宽度；以第二刻蚀停止层为掩膜对半导体衬底进行离子注入，以在半导体衬底中形成源漏区；去除第二刻蚀停止层；在半导体衬底上形成栅电极层；在栅电极层的侧壁上形成侧墙结构，侧墙结构的顶部与栅电极层的顶部齐平。本发明利用刻蚀停止层定义源漏离子注入区域，无需刻蚀侧墙结构而形成顶部较尖的斜肩结构，宽度均匀的侧墙可以增大栅极与接触孔之间的有效距离，改善漏电问题。
本文源自：金融界
