金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体封装结构与半导体封装方法”的专利，公开号CN119153439A，申请日期为2023年6月。
专利摘要显示，本公开提供一种半导体封装结构与半导体封装方法，涉及半导体技术领域。所述半导体封装结构包括：封装基板；随机存取存储芯片，与所述封装基板上的第一连接部形成键合；封装层，位于所述封装基板上，包覆所述随机存取存储芯片；重布线层，位于所述封装层上；第二导电线，至少部分地位于所述封装层内，连接所述封装基板上的第二连接部与所述重布线层的底面；闪存芯片，位于所述重布线层上，与所述重布线层的顶面形成键合；所述重布线层包括信号线路和参考线路，所述信号线路用于在所述闪存芯片与所述封装基板之间进行信号传输，所述参考线路用于提供信号传输的参考平面。本公开能够改善半导体器件翘曲、分层等问题，并提升信号完整性与电源完整性。
本文源自：金融界
