金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司申请一项名为“晶体管及其制作方法”的专利，公开号CN119153331A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本公开提供了一种晶体管及其制作方法，属于半导体器件领域。所述方法包括：在衬底上制作沟道层；在所述沟道层上制作势垒层；在所述势垒层上制作应力调控层，所述应力调控层在生长过程施加的应力大小和厚度大小与所述晶体管的阈值电压大小相关；制作源极与漏极，所述源极依次贯穿所述应力调控层和所述势垒层与所述沟道层接触，所述漏极依次贯穿所述应力调控层和所述势垒层与所述沟道层接触；制作栅极，所述栅极位于所述应力调控层，且位于所述源极与所述漏极之间。
本文源自：金融界
