金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，合肥新晶集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法、半导体结构”的专利，公开号CN119153410A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本公开涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体结构的制备方法、半导体结构，方法包括：提供衬底，衬底上包括初始栅极结构及位于初始栅极结构沿第一方向相对两侧衬底内的第一掺杂区，初始栅极结构包括堆叠结构及周向环绕堆叠结构的第一栅侧墙；堆叠结构包括依次层叠的栅叠层、保护盖层及牺牲层；于初始栅极结构的外侧壁形成位于第一掺杂区正上方的第二栅侧墙；利用氧原子将第一掺杂区热氧化处理为牺牲氧化层；清洗去除牺牲氧化层及牺牲层，得到初始凹槽；经由初始凹槽刻蚀衬底，得到开口于第一栅侧墙正下方的目标凹槽后，形成填满目标凹槽且顶面不低于衬底的顶面的应力层。本实施例至少能够精准减小应力层与沟道区之间水平间距。
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