金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，焦作天宝桓祥机械科技有限公司申请一项名为“一种异质外延金刚石碳化硅复合晶圆的制备方法”的专利，公开号CN119153319A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明属于金刚石散热材料技术领域，具体公开了一种异质外延金刚石碳化硅复合晶圆的制备方法，将合成块装入六面顶压机，采用分段升压工艺进行加工，每一层内部的镍锰钴合金片融化，碳化硅晶圆接触合金片的一面，碳化硅晶圆内的硅会融入镍锰钴合金片，因合成腔体内的高温超高压环境处于金刚石的稳定区，碳化硅晶圆内剩余的碳原子会以金刚石晶体结构重新排列，得到异质外延金刚石碳化硅复合晶圆。本发明通过在金刚石面硼掺杂、在碳化硅面掺杂磷，可以再晶圆上集成出芯片制造最基础的PN节结构，制造出耐电压程度更高、运行速度更快、更耐高温、制程更小的半导体芯片，对于微电子行业和高性能芯片开发具有重要的战略意义；而且单次可合成10~40片异质外延金刚石碳化硅复合晶圆。
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