金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，基本半导体（无锡）有限公司申请一项名为“一种碳化硅功率模块的封装结构以及封装方法”的专利，公开号CN119153377A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，本发明公开了一种碳化硅功率模块的封装结构以及封装方法，封装结构包括第一封装结构，第一封装结构用于将DTS单组件从DTS承载膜上剥离并转移；第一封装结构包括定位机构和第一转移机构，定位机构用于对DTS单组件进行定位、支承，第一转移机构用于将DTS单组件从DTS承载膜上剥离并转移；定位机构包括具有容置腔室的第一壳体以及设于所述第一壳体顶部的第一顶帽，所述第一顶帽的顶面为不具有孔结构的平面。本发明所述碳化硅功率模块的封装结构在不对所述DTS承载膜的底面进行吸附的条件下，将DTS单组件从DTS承载膜上剥离并避免了真空吸附造成的DTS单组件在碳化硅功率模块封装过程中发生形变或者脱落。
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