金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，上海集成电路研发中心有限公司申请一项名为“一种光电探测器及其制备方法”的专利，公开号CN119153558A，申请日期为2023年6月。
专利摘要显示，本发明公开了一种光电探测器及其制备方法，光电探测器包括：设于衬底上的P型结区、N型结区，和设于所述P型结区与所述N型结区之间的本征吸收层；设于光入射面的所述本征吸收层上的光学超表面结构，所述光学超表面结构由通过不同亚波长结构周期性排列组成的基本单元的阵列形成。本发明能有效增强本征吸收层上的局域光场强度，从而能有效增加光电探测器的量子效率，同时还能够减小本征吸收层的厚度，进而增强响应速度，并可以增强对通信波段光谱的吸收范围。
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