金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，横店集团东磁股份有限公司申请一项名为“一种存在边缘绕镀层的TBC太阳能电池的制备方法”的专利，公开号CN119153587A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种存在边缘绕镀层的TBC太阳能电池的制备方法。本发明通过特殊的“直接氧化‑间接沉积‑高温退火”+“高温致密化+硼掺杂”组合工艺在硅片边缘预构建绝缘介质膜使边缘绕镀区域与硅片基底绝缘隔离，因此即使成品TBC太阳能电池的边缘存在绕镀层，绕镀部分也不会有较大漏电产生；其次，该绝缘介质膜还具有优异的钝化效果，可进一步钝化硅片侧面区域，有利于提升电池的电学性能。最后，与常规TBC太阳能电池的边缘全部为金字塔绒面相比，本发明硅片边缘部分为金字塔绒面，部分为抛光面，边缘绒面状硅片在外力作用下更容易引起硅片碎片，而抛光面则更加有助于提高电池片良率。
本文源自：金融界
