金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，天合光能股份有限公司申请一项名为“隧穿氧化层钝化背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统”的专利，公开号CN119153549A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本申请实施例提供一种隧穿氧化层钝化背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统。该隧穿氧化层钝化背接触太阳能电池包括：衬底；第一隧穿氧化层，所述第一隧穿氧化层位于衬底的背面；第一磷掺杂层，所述第一磷掺杂层位于所述第一隧穿氧化层远离所述衬底的一侧面；第二隧穿氧化层，所述第二隧穿氧化层位于所述第一磷掺杂层远离所述第一隧穿氧化层的一侧面的部分区域所述第二隧穿氧化层呈间隔排布相邻两个第二隧穿氧化层之间的区域为电极连接区；第二磷掺杂层，所述第二磷掺杂层远离所述第二隧穿氧化层远离第一磷掺杂层的一侧表面，以及位于所述电极连接区。本申请实施例的隧穿氧化层钝化背接触太阳能电池，具有较高的良率和较好的接触。
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